[发明专利]氮化物半导体元件制造方法无效
| 申请号： | 200510122765.3 | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1979763A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李贤宰;崔在完 | 申请（专利权）人： | 乐金电子（南京）等离子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威;张金海 |
| 地址： | 210046江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体器件制造方法。使氮化物半导体元件相分离的一定槽中形成有裂缝防止壁。除去槽中存在的空隙，这样可将在激光发射工序时器件中发生的裂缝或损伤降到最低。特别是上述的裂缝防止壁通过一定的传导性金属形成，与载波基板接合时，与接合部件的反应比较容易，可以与载波基板维持很强的接合力，与现有的使用环氧的一定接合法中独立式再一次接合金属电极不同，在本发明中可以省略该工序，以此提高器件的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物半导体元件制造方法，其特征在于，包括如下阶段：第1阶段：氮化物半导体元件通过槽相互分离，在基板上反复形成；第2阶段：第1阶段中分离氮化物半导体元件的槽中，形成裂缝防止壁；第3阶段：在第2阶段中形成的裂缝防止壁通过接合部件与载波基板相接合；第4阶段：分别在第1阶段和第2阶段中形成的裂缝防止壁和氮化物半导体元件接合的基板，通过激光发射进行分离；第5阶段：除去在第4阶段中与基板分离的裂缝防止壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金电子（南京）等离子有限公司，未经乐金电子（南京）等离子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510122765.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
