[发明专利]柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法无效
| 申请号： | 200510122528.7 | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1819281A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张德贤;冯凯;齐龙茵;赵飞;蔡宏琨;张晓;李胜林 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 赵尊生 |
| 地址： | 300071天津市卫*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，200－230℃褪火1－3小时，水温至50－80℃加热，超声波清洗衬底30－60分钟，120－140℃真空条件下烘干。本发明实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本发明是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 衬底 薄膜 太阳电池 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1、一种柔性半导体器件的衬底清洗方法，其特征在于它包括褪火、支撑拉紧绷平、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤，使衬底达到半导体器件制造要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
