[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，其具备：被设置在所述半导体基板上的元件分离膜；被包围在所述元件分离膜中的、发挥作为集电极层的作用的有源区域；被设置在所述有源区域上的、含有合金层的导电层；被设置在所述导电层上的发射极层；被设置在所述发射极层上的发射极电极；覆盖所述发射极电极的侧面的第一膜；与所述导电层相邻接的p⁺扩散层；和在所述有源区域中，在第1合金层和所述元件分离膜之间中的杂质区域。p⁺扩散层和合金层之间扩展的边界位于杂质区域之上。

主权项

1、一种半导体装置，具备：半导体基板(1)；被设置在所述半导体基板(1)上的元件分离膜(3)；被包围在所述元件分离膜中的、发挥作为集电极层的作用的有源区域(2、2a)；被设置在所述有源区域上的、发挥作为基极层的作用的导电层(4)；被设置在所述导电层的一部分(4a)上的发射极层(6)；具有侧面并设置在所述发射极层上的发射极电极(7a)；覆盖所述发射极电极的所述侧面的第一膜(9)；与所述导电层相邻接并发挥作为外部基极层的作用的第一杂质区域(10)；和被形成在所述有源区域(2、2a)的表面区域的一部分上，并在位于所述发射极电极的下方的所述导电层的一部分(4a)和所述元件分离膜之间扩展的第二杂质区域(20)；所述有源区域含有第一导电型杂质，所述第一杂质区域含有第二导电型杂质，其具有与所述第一导电型杂质相反的导电型，所述第二杂质区域(20)是与所述第一杂质区域的导电型相同的导电型，具有比所述第一杂质区域的导电性小的导电性。