[发明专利]半导体电路、显示装置及具有该显示装置的电子设备有效
申请号: | 200510121771.7 | 申请日: | 2005-12-02 |
公开(公告)号: | CN1832171A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 长塚修平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G09G3/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;王忠忠 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种具有D型触发器的半导体电路以及显示装置和具有该显示装置的电子设备。在本发明中,代替现有的D型触发器内晶体管数量占8个的2个钟控倒相器,而使用2个n沟道型晶体管和p沟道型晶体管,从而削减了晶体管数量。 | ||
搜索关键词: | 半导体 电路 显示装置 具有 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体电路,其特征在于,包括:第一n沟道型晶体管、第一p沟道型晶体管、第二n沟道型晶体管、第二p沟道型晶体管和倒相器电路,其还具有:输入第一输入信号的所述第一n沟道型晶体管的栅极端子及所述第一p沟道型晶体管的栅极端子;输入时序控制信号的所述第一n沟道型晶体管的第一端子;输入反相时序控制信号的所述第一p沟道型晶体管的第一端子;和所述第一n沟道型晶体管的第二端子、以及与所述第一n沟道型晶体管的所述第二端子电连接的所述第一p沟道型晶体管的第二端子,其中,所述第一n沟道型晶体管的第二端子及所述第一p沟道型晶体管的第二端子电连接于所述倒相器电路的输入端子上,该半导体电路还具有:输入从所述倒相器电路的输出端子输出的第二信号的、所述第二n沟道型晶体管的栅极端子及所述第二p沟道型晶体管的栅极端子;输入所述时序控制信号的所述第二p沟道型晶体管的第一端子;输入所述反相时序控制信号的所述第二n沟道型晶体管的第一端子;和所述第二n沟道型晶体管的第二端子、以及与所述第二n沟道型晶体管的所述第二端子电连接的所述第二p沟道型晶体管的第二端子,其中,所述第二n沟道型晶体管的第二端子及所述第二p沟道型晶体管的第二端子电连接于所述倒相器电路的输入端子上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510121771.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:小型预焙铝电解槽用阳极的制作方法
- 下一篇:白平衡方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的