[发明专利]蚀刻介电层形成接触窗和介层窗的方法以及镶嵌工艺无效
| 申请号： | 200510120487.8 | 申请日： | 2005-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1967785A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 施惠绅 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用导电掩模蚀刻介电层的方法，首先提供介电层位于衬底上，形成图案化的导电掩模于介电层上并和衬底相接触，再利用图案化的导电掩模对介电层进行干蚀刻工艺，藉以利用导电掩模分散掉干蚀刻工艺所产生的电荷，故不会蓄积大量电荷在被干蚀刻的介电层上，进而可有效抑制介电层覆盖的金属内连线以及元件发生爆裂的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 介电层 形成 接触 介层窗 方法 以及 镶嵌 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻介电层的方法，该介电层位于一衬底上方，该方法是先形成一图案化的导电掩模于该介电层上并与该衬底接触，再利用该图案化的导电掩模对该介电层进行一干蚀刻工艺，其中该干蚀刻工艺所产生的一电荷经由该图案化的导电掩模导入该衬底中。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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