[发明专利]直拉法拉晶设备有效

专利信息
申请号: 200510120430.8 申请日: 2002-03-07
公开(公告)号: CN1782141A 公开(公告)日: 2006-06-07
发明(设计)人: 朴在勤 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于生长单晶硅锭的Czochralski拉晶设备,其包括加热室壳、加热室壳内用于装盛熔融硅的坩埚、加热室壳内坩埚附近用以夹持籽晶的籽晶夹具以及加热室壳内环绕坩埚的加热器。还在加热室壳内设置环形的热屏蔽护套,该护套包括彼此分离的内和外热屏蔽护套壁,以及连接内和外热屏蔽护套壁的热屏蔽护套顶和热屏蔽护套底,热屏蔽护套顶从内热屏蔽护套壁到外热屏蔽护套壁向上倾斜,而热屏蔽护套底从内热屏蔽护套壁到外热屏蔽护套壁向下倾斜。环形热屏蔽护套还在其中在外屏蔽护套壁与热屏蔽护套底的相交处包括切口。在坩埚内,支撑元件支撑热屏蔽护套。
搜索关键词: 法拉 设备
【主权项】:
1.一种用于生长单晶硅锭的Czochralski拉晶设备,包括:加热室壳;加热室壳内装盛熔融硅的坩埚;加热室壳内坩埚附近用以夹持籽晶的籽晶夹具;加热室壳内环绕坩埚的加热器;加热室壳内的环形热屏蔽护套,该护套包括彼此分离的内和外热屏蔽护套壁,以及连接内和外热屏蔽护套壁的热屏蔽护套顶和热屏蔽护套底,热屏蔽护套顶从内热屏蔽护套壁到外热屏蔽护套壁向上倾斜,而热屏蔽护套底包括内热屏蔽护套壁附近的从内热屏蔽护套壁向外热屏蔽护套壁向下倾斜的第一部分,以及外热屏蔽护套壁附近的从外热屏蔽护套壁向内热屏蔽护套壁向下倾斜的第二部分;以及支撑坩埚内的热屏蔽护套的支撑部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510120430.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top