[发明专利]金属氧化物半导体晶体管电路无效

申请号：	200510120416.8	申请日：	2005-11-10
公开（公告）号：	CN1773705A	公开（公告）日：	2006-05-17
发明（设计）人：	堤正范	申请（专利权）人：	松下电器产业株式会社
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02
代理公司：	北京市柳沈律师事务所	代理人：	黄小临;王志森
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	通过响应于电源的波动而动态地改变MOS晶体管(P1)的基底偏压来补偿MOS晶体管(P1)的电流性能的降低，因此自动稳定操作速度。NMOS晶体管(N2)产生响应于电源电压的波动程度而改变的电流(I2)，然后所述电流(I2)经由电阻器(R3)被转换为电压以向MOS晶体管(P1)的基底(后栅极)施加正向偏压。当由于电源电压的降低而降低MOS晶体管(P1)的电流性能时，自动执行调整以降低MOS晶体管的门限电压，因此可以补偿操作速度。
搜索关键词：	金属氧化物半导体晶体管电路
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【主权项】：

1.一种在半导体集成电路中使用的MOS晶体管电路，包括：第一导电类型MOS半导体元件；电阻器元件，它被插入所述第一导电类型MOS半导体元件的源极和所述第一导电类型MOS半导体元件的基底之间；以及调整部分，用于响应于在第一导电类型MOS半导体元件的源极中的电压降值而调整流过所述电阻器元件的电流的幅度。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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