[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种含有非易失性半导体存储装置的半导体装置的制造方法，提高其可靠性及成品率。在半导体衬底(1)上经由栅极绝缘膜(2)形成第一多晶硅膜(3)。进而形成具有第一开口部(101)的第二氮化硅膜(8)，以其为掩模，蚀刻第一多晶硅膜(3)。其次，在第一开口部形成具有第二开口部(103)的衬垫膜(9A)。然后，在氨气环境中进行第一退火处理，形成第一防氧化层(9N)。进而形成源极区域(11)、源线(12)、源线盖膜(13)、浮动栅(3A)、隧道绝缘膜(14A)、控制栅(15A)、及漏极区域(17)等。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：经由第一绝缘膜在半导体衬底的表面上顺序形成第一半导体层、具有露出该第一半导体层的开口部的掩模层的工序；以所述掩模层为蚀刻掩模，各向同性蚀刻第一半导体层的表面的工序；在所述开口部的壁侧上形成衬垫的工序；以所述衬垫为蚀刻掩模，蚀刻第一半导体层及第一绝缘膜，露出所述半导体衬底的表面的工序；通过进行第一退火处理，在开口部露出的所述衬垫、及所述第一半导体层的侧部上形成由氮导入层构成的第一防氧化层的工序；在所述开口部内形成源线的工序；氧化处理所述源线的表面，在该表面上形成源线盖膜的工序；除去所述掩模层及所述第一半导体层的不需要部分，形成由该第一半导体层构成的浮动栅的工序；在包含所述衬垫上、所述源线盖膜上、及所述浮动栅上的所述半导体衬底的表面上形成隧道绝缘膜的工序；在所述隧道绝缘膜上形成第二半导体层，通过对其蚀刻，形成经由所述隧道绝缘膜与所述浮动栅邻接的控制栅的工序。