[发明专利]蚀刻溶液和除去低－K电介质层的方法无效
| 申请号： | 200510120297.6 | 申请日： | 2005-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1772842A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 金美英;李晓山;洪郁善;吴晙焕;李相旻 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于蚀刻基底上的低－k电介质层的蚀刻溶液，该溶液包含有效比例的用于氧化低－k电介质层的氧化剂及有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂。利用该蚀刻溶液，通过单步骤处理工艺，可容易地除去低－k电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 溶液 除去 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电介质层蚀刻溶液，包含：有效比例的用于氧化低-k电介质层的氧化剂；及有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂。
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