[发明专利]半导体存储器装置无效
| 申请号： | 200510120242.5 | 申请日： | 2005-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1790544A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 辛范柱 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/409;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器装置，其中，为了控制列地址计数器和锁存器块在读取操作时的电流消耗，位于列地址计数器和锁存器块中的延迟单元，根据在写入和读取操作时被使能的信号CASP6和在写入操作时被使能、而在读取操作时失效的信号WT6RD5Z，执行移位操作。因此，可以减少在读取操作时不必要的电流消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括用以在写入操作时，延迟存储体地址和列地址的延迟电路，该半导体存储器装置包括：在读取操作时，用以使延迟电路的操作失效的控制器。
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