[发明专利]嵌有光电二极管区的图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供嵌有光电二极管区的图像传感器及其制造方法。在该图像传感器中形成多个像素，所述像素至少具有一光电二极管、一复位晶体管和源极跟随器晶体管，其中，每个像素包括电荷转移栅晶体管，其位于光电二极管与复位晶体管之间，并且构成使复位晶体管与转移栅晶体管连接的节点的浮动扩散区与该源极跟随器晶体管的栅极连接。此外，光电二极管区被嵌入在阱区的下部，在该阱区中形成每个像素的复位晶体管和源极跟随器晶体管。另外，至少在该浮动扩散区的一部分区域的下部不形成该光电二极管区。

主权项

1、一种图像传感器，其具有多个像素，每个像素至少具有一光电二极管、一转移栅晶体管、一复位晶体管和一源极跟随器晶体管，其中，在所述像素中，浮动扩散区构成使该转移栅晶体管与该复位晶体管连接的节点，且与该源极跟随器晶体管的栅极连接；以及所述像素包括光电二极管区，其被嵌入在该复位晶体管和该源极跟随器晶体管的下部，至少在该浮动扩散区的一部分区域的下部不形成该光电二极管区。