[发明专利]在蚀刻浅沟槽之前预锥形硅或硅－锗的工艺无效
| 申请号： | 200510119901.3 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1790626A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·A·坎普 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在材料(例如硅)中蚀刻浅沟槽之前，在材料中形成预锥形部件的工艺，包括在材料上的硬掩模中形成开口，从而在材料中形成第一预锥形部件。工艺可以包括硬掩模过蚀刻步骤，该步骤修正第一预锥形部件的剖面，以在材料中形成第二预锥形部件。在预锥形材料中形成浅沟槽隔离部件。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 沟槽 之前 锥形 工艺 | ||
【主权项】：
1.预锥形半导体结构的硅层或硅-锗层的工艺，包括：在等离子体处理室中提供半导体结构，该半导体结构包括硅层或硅-锗层、在硅层或硅-锗层上的硬掩模以及在硬掩模上的构图的软掩模；供应蚀刻气体混合物到等离子体处理室中；以及由蚀刻气体混合物形成等离子体，并且用等离子体(i)蚀刻透过硬掩模的开口以及(ii)在硅层或硅-锗层中蚀刻预锥形部件。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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