[发明专利]新型半导体材料无效
| 申请号： | 200510119536.6 | 申请日： | 2005-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1966401A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 陈文通;郭国聪;邹建平;赵振乾;王明盛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C01G13/00;C30B29/46;C30B1/10;H01B1/06;H01L31/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg2Q2X2 (Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX2和Q粉，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及用于光电开关。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 半导体材料 | ||
【主权项】：
1.新型半导体材料，其特征在于：该半导体材料的通式为Hg2Q2X2(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。
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