[发明专利]有机薄膜晶体管、其制造方法和平板显示器有效
| 申请号： | 200510119451.8 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1790749A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 安泽;具在本;徐旼彻 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/05;H01L27/32;H01L21/336;H01L51/40;H05B33/12;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外，该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 制造 方法 平板 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管(TFT)，包括：衬底；在衬底上形成的源电极和漏电极；在衬底上形成的半导体层；在半导体层上形成的栅绝缘层；穿过半导体层和栅绝缘层形成的分隔图案；以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极，其中半导体层具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层。
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