[发明专利]抛光方法无效
| 申请号： | 200510119396.2 | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1769006A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 吴俊辉;河村笃纪;松田刚;平野达彦;堀和伸;酒井谦儿 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B37/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;董红曼 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于化学和机械抛光对象物以形成半导体装置线路的方法，其包括：通过化学和机械抛光除去部分导电层外侧部以显露阻挡层的上表面；以及在除去部分导电层外侧部之后，通过化学和机械抛光除去导电层外侧部的剩余部分和阻挡层外侧部以显露绝缘层的上表面。当除去部分导电层外侧部时，使用包含成膜剂的第一种抛光组合物化学和机械抛光对象物的上表面。随后，清洗被化学和机械抛光的对象物的上表面，从而除去由第一种抛光组合物中的成膜剂在导电层的上表面形成的保护膜。然后，使用包含成膜剂的第二种抛光组合物再次化学和机械抛光对象物的上表面。这样，就很好地形成了半导体装置线路。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学和机械抛光对象物以形成半导体装置线路的方法，对象物包括具有沟槽的绝缘层、置于绝缘层上的阻挡层、以及置于阻挡层上的导电层，其中阻挡层和导电层分别具有位于沟槽外侧的外侧部和位于沟槽内侧的内侧部，所述方法的特征在于：通过化学和机械抛光除去部分导电层外侧部以显露阻挡层的上表面；以及在除去部分导电层外侧部之后，通过化学和机械抛光除去导电层外侧部的剩余部分和阻挡层外侧部以显露绝缘层的上表面，其中所述除去部分导电层外侧部的步骤包括：使用包含成膜剂的第一种抛光组合物化学和机械抛光对象物的上表面；清洗被化学和机械抛光的对象物的上表面，从而除去由第一种抛光组合物中的成膜剂在导电层的上表面形成的保护膜；以及使用包含成膜剂的第二种抛光组合物化学和机械抛光被清洗的对象物上表面。
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