[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向<0001>之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

主权项

1、一种氮化物半导体器件，包括：处理过的衬底，通过在至少一个表面由氮化物半导体形成的氮化物半导体衬底的表面上形成作为至少一个凹陷区的沟槽和作为非沟槽的脊部而形成，和氮化物半导体生长层，包括生长在所述处理过的衬底上的多个氮化物半导体薄膜，所设置的所述氮化物半导体生长层的主平面方向与{0001}平面对准，其中倾斜角，即从脊的表面部分沿与其垂直的方向延伸的第一矢量与平行于晶体方向<0001>延伸的第二矢量之间、在假设所述第一矢量和所述第二矢量开始于同一点时所成的角度，为0.05°或以上但在4°或以下。