[发明专利]高电压晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510119177.4 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1828936A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 康美铉;辛和叔;李孟烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在具有高击穿电压的HV晶体管及其制造方法中，通过氧化一部分衬底使第一绝缘图案形成在半导体衬底上，并且形成第二绝缘图案，使得第一绝缘图案的至少一部分覆盖有第二绝缘图案。通过淀积导电材料到衬底上，在衬底上形成栅电极，栅电极含有第一末端部分和与第一末端部分相对的第二末端部分。第一末端部分形成在第一绝缘图案上，而第二末端部分形成在第二绝缘图案上。通过注入杂质到衬底上，在衬底的表面部分处形成源/漏区。减少了在栅电极的边缘部分处的电场强度，并且HV晶体管具有高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高电压晶体管，包括：半导体衬底；在所述衬底上的第一绝缘图案；覆盖所述第一绝缘图案的至少一部分的第二绝缘图案；包括第一末端部分和与该第一末端部分相对的第二末端部分的栅电极，所述第一末端部分形成在所述第一绝缘图案上，而所述第二末端部分形成在所述第二绝缘图案上；以及在所述衬底的表面部分处形成的源/漏区。
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