[发明专利]一种水基显影有机硅改性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法无效
| 申请号: | 200510119124.2 | 申请日: | 2005-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN1794088A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
| 发明(设计)人: | 张春华;杨正华;朱丹阳;吴作林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号: | G03F7/037 | 分类号: | G03F7/037;G03F7/004 |
| 代理公司: | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人: | 马守忠 |
| 地址: | 130022吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | 本发明属于一种水基显影有机硅改性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法。采用芳香二酯二酰氯同3,5-二胺基苯甲酸、4,4′-二胺基3,3′-二羟基二苯甲烷以及4,4′-二胺基3,3′-二羟基二苯砜等单体聚合,用3-氨基丙基三乙氧基硅烷或1,3-双(3-氨基丙基)-1,1′,3,3′-四甲氧基硅烷改性,生成有机硅改性聚酰亚胺预聚物,特性粘度在0.35-0.45范围内,加入2-重氮萘醌衍生物为光敏剂,使之成为具有很高的感光性能,很好的成膜性和很好的粘结性能以及耐热性能的光敏材料。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 显影 有机硅 改性 光敏 聚酰亚胺 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种水基显影有机硅改性光敏聚酰亚胺材料,其特征在于:其具有下列结构式:
其中Ar1=芳香族二酐残基,Ar2=芳香族二胺A残基,Ar3=(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)3,Ar4=芳香族二胺B残基,p为1~5的整数,n,m均为大于15的整数;或者有如下结构:
其中Ar1=芳香族二酐残基,Ar2=芳香族二胺A残基,Ar4=芳香族二胺B残基,n,m均为大于15的整数。
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