[发明专利]半导体装置

摘要

本发明得到高压侧浮动补偿电压的负变动而产生的锁定破坏容量高的半导体装置。在p^－衬底(200)顶面内形成n型杂质区(121)。在n型杂质区(121)顶面内形成p阱(131)。另外，在n型杂质区(121)顶面内形成p⁺型源极区(126)和p⁺型漏极区(122)。在p阱(131)顶面内形成n⁺型漏极区(137)和n⁺型源极区(133)。在p^－衬底(200)内形成比n型杂质区(121)更高浓度的n⁺埋入层(20)。n⁺埋入层(20)与n型杂质区(121)的底面相接，且形成得比n型杂质区(121)更深。

主权项

1.一种半导体装置，用以驱动具备第一电极、第二电极和控制电极的开关器件，其中设有：与所述第一电极连接的第一端子；经由电容性元件连接到所述第一电极的第二端子；第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底的主面内形成的第二导电型的第一杂质区；在所述第一杂质区的主面内形成的所述第一导电型的第二杂质区；在所述第二杂质区的主面内形成，并包括与所述第一端子连接的所述第二导电型的源极/漏极区的第一晶体管；在所述第一杂质区的所述主面内形成，并包括与所述第二端子连接的所述第一导电型的源极/漏极区的第二晶体管；以及与所述第一杂质区的底面相接并在所述半导体衬底内形成的所述第二导电型的第三杂质区。