[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200510118820.1 | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1812122A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 金田充;高桥英树 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的是提供恢复损失低且具备高耐压的半导体装置。本发明的半导体装置，其特征在于，具备：(a)具有表面和背面的第1导电型的半导体基板；(b)绝缘栅极型晶体管，具备：表面形成的第1导电型的发射极区；表面形成的第2导电型的基极区；表面上，隔着绝缘膜与基极区相对的栅极；表面上与发射极区连接的发射极；(c)背面形成的第2导电型的集电极区；(d)背面上与集电极区相对设置的集电极；(e)表面和背面间与集电极区共同包围绝缘型晶体管的第2导电型的分离区，集电极区的厚度在17～50微米的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：具有表面和背面的第1导电型的半导体基板；上述背面上形成的第2导电型的集电极区；上述集电极区上形成的集电极；从上述半导体基板的上述表面延伸到上述集电极区，与上述集电极区共同包围漂移区的至少一组第2导电型的分离区；在上述半导体基板的上述表面附近，上述漂移区内形成的第2导电型的基极区；在上述半导体基板的上述表面附近，上述基极区内形成的第1导电型的发射极区；隔着绝缘膜与上述基极区相对的栅极；上述发射极区上形成的发射极，上述集电极区的厚度在17～50微米的范围内。
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