[发明专利]制造具有外部接触连接的半导体元件的方法

摘要

依据本发明的方法提供了载体1，在所述载体上在边界线100之间设置一个或多个半导体元件，半导体元件的半导体接触连接区域3位于载体1的第一表面200之上。然后在载体中引入具有倾斜侧壁108的圆锥形沟102，所述倾斜侧壁108沿着边界线100运转。在随后的方法步骤中形成将半导体接触连接区域3的至少一个连接至沟102的至少一个倾斜侧壁108的重新布线装置5。然后从与第一表面200相对的一侧变薄载体1。在这种情况中，变薄载体1，至少直至暴露沟底103。在变薄载体1之前立即施加的粘性载体6的去除之后，因此得到无导线的单片化半导体元件。

主权项

1、一种用于制备具有外部接触连接区域的半导体元件的方法，所述方法具有下面的步骤：a)提供载体(1)，在所述载体上至少一个半导体元件设置在边界线(100)之间，半导体元件的至少一个半导体接触连接区域(3)位于载体(1)的第一表面(200)之上；b)在载体(1)中引入具有倾斜侧壁(108)和沟底(103)的圆锥形沟(102)，所述倾斜侧壁(108)相对于载体(1)具有0°至90°的范围中的倾斜，沿着边界线(100)设置所述圆锥形沟(102)；c)施加和图案形成导电层，以形成重新布线装置(5)，从而将至少一个半导体接触连接区域(3)连接至沟(102)的一个倾斜侧壁(108)；d)使具有粘附表面的载体(6)适于第一表面(200)的侧面；e)从与第一表面(200)相对的一侧变薄载体(1)，至少直至暴露沟底(103)，从而单片化重新布线的半导体元件。