[发明专利]快闪存储器结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200510118410.7 | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1956217A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈世芳;高建纲 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的快闪存储器结构包含一具有一V型凹槽的基板、一设置于该基板中的第一掺杂区、二个设置于该V型凹槽两侧的基板中的第二掺杂区、一设置于该基板表面的介电堆叠结构以及一设置于该V型凹槽上方的介电堆叠结构表面的导电层，其中介电堆叠结构具有多个捕捉位置夹置于其中。该V型凹槽的制备方法包含形成一屏蔽层于该基板表面、形成一开口于该屏蔽层中、蚀刻该开口下方的基板以形成该V型凹槽以及去除该屏蔽层。优选地该基板可为硅基板，该V型凹槽具有一斜面位于该硅基板的(111)结晶面，且该硅基板的(100)结晶面朝向下方。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器结构，包括：一半导体基板，具有一V型凹槽；一第一掺杂区，至少设置该V型凹槽下方的半导体基板中；二个第二掺杂区，设置于该V型凹槽两侧的半导体基板中；一介电堆叠结构，其具有多个捕捉位置，并至少设置于该半导体基板的V型凹槽表面；以及一导电层，设置于该V型凹槽上方的介电堆叠结构表面。
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