[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510118100.5 | 申请日： | 2005-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1779962A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 龟山工次郎;铃木彰;梅本光雄 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。介由第一绝缘膜(11)形成在半导体衬底(10)上的焊盘电极(12)上形成高熔点金属层(13)。其次，在含焊盘电极(12)及高熔点金属层(13)上的半导体衬底(10)的表面上形成钝化层14，进而介由树脂层(15)形成支承体(16)。其次，蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(12)的通孔(17)。其次，介由第二绝缘膜(18)形成与在通孔17底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成抗焊剂层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10A)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体芯片；焊盘电极，其形成于所述半导体芯片的表面侧；高熔点金属层，其形成于所述焊盘电极上；第一保护层，其形成于所述半导体芯片表面侧，覆盖在所述焊盘电极及所述高熔点金属层上；通孔，其从所述半导体芯片的背面到达该焊盘电极；贯通电极，其形成于所述通孔内，且与该通孔底部的焊盘电极电连接。
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