[发明专利]薄膜晶体管制造方法及基板结构有效
| 申请号: | 200510117613.4 | 申请日: | 2005-11-02 |
| 公开(公告)号: | CN1959943A | 公开(公告)日: | 2007-05-09 |
| 发明(设计)人: | 黄良莹;王怡凯;胡堂祥;何家充 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管制造方法及基板结构,其中基板结构具有一基材及一自我对位光罩。该制造方法是通过将自我对位光罩制作在基材上,使其具有与基材同步热胀冷缩的特性,当提供一曝光源在基材非用以形成薄膜晶体管的一侧时,自我对位光罩可克服塑料基板非等距膨胀收缩而产生的偏位问题,且具有高准度的对位效果,因此可以准确的定义出薄膜晶体管源极及漏极位置。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 制造 方法 板结 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一基材,该基材具有一第一板面及一第二板面,该第一板面上用以形成一薄膜晶体管,其具有一源极、一漏极及一栅极;形成一非透明薄膜在该第二板面上;将该非透明薄膜制作成一光罩;制作该栅极在该第一板面上;制作一透明绝缘层在该栅极及该第一板面上;制作一透明电极层在该透明绝缘层上;制作一光阻在该透明电极层上;提供一曝光源在该第二板面侧,又通过该第一光罩的作用,以定义出该源极及该漏极位置,又将该透明电极层制作出该源极及该漏极;以及制作一半导体层,其设置且电性连接在该源极及该漏极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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