[发明专利]薄膜晶体管制造方法及基板结构有效

专利信息
申请号: 200510117613.4 申请日: 2005-11-02
公开(公告)号: CN1959943A 公开(公告)日: 2007-05-09
发明(设计)人: 黄良莹;王怡凯;胡堂祥;何家充 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/027
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管制造方法及基板结构,其中基板结构具有一基材及一自我对位光罩。该制造方法是通过将自我对位光罩制作在基材上,使其具有与基材同步热胀冷缩的特性,当提供一曝光源在基材非用以形成薄膜晶体管的一侧时,自我对位光罩可克服塑料基板非等距膨胀收缩而产生的偏位问题,且具有高准度的对位效果,因此可以准确的定义出薄膜晶体管源极及漏极位置。
搜索关键词: 薄膜晶体管 制造 方法 板结
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一基材,该基材具有一第一板面及一第二板面,该第一板面上用以形成一薄膜晶体管,其具有一源极、一漏极及一栅极;形成一非透明薄膜在该第二板面上;将该非透明薄膜制作成一光罩;制作该栅极在该第一板面上;制作一透明绝缘层在该栅极及该第一板面上;制作一透明电极层在该透明绝缘层上;制作一光阻在该透明电极层上;提供一曝光源在该第二板面侧,又通过该第一光罩的作用,以定义出该源极及该漏极位置,又将该透明电极层制作出该源极及该漏极;以及制作一半导体层,其设置且电性连接在该源极及该漏极之间。
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