[发明专利]等离子体促使调节和改善临界尺寸均匀性的系统和方法有效
| 申请号： | 200510117375.7 | 申请日： | 2005-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1783438A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | T·J·达尔顿;R·A·D·瓜尔迪亚;N·C·富勒 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种新颖的包括OSG或聚合基的互连结构(90nm或更细的BEOL技术)，其中利用先进的等离子体处理降低半导体器件中的光刻后CD不均匀性(线条边缘粗糙度)。该新颖的互连结构具有改进的衬里和籽晶保形性，从而可以获得改善的器件性能、功能性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 促使 调节 改善 临界 尺寸 均匀 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于改善光刻后结构的临界尺寸(CD)均匀性的方法，包括如下步骤，在适于降低形成的光刻后结构的均方根(RMS)线条边缘粗糙度(LER)的工艺条件下，实施用于蚀刻光刻后结构的双频电容性等离子体蚀刻工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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