[发明专利]半导体光源发光色度、强度及白平衡的检测方法无效
| 申请号： | 200510117287.7 | 申请日： | 2005-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1959355A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 韩德俊 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | G01J9/00 | 分类号： | G01J9/00;G01J1/42;G01J3/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用掩埋双pn结半导体光波长探测器检测半导体光源发光色度、强度及白平衡的方法。该掩埋双pn结半导体光波长探测器不仅仅用来测量波长，而且同时用来测量发光强度(或光功率)。对于半导体激光器、超辐射发光二极管、边发射二极管、窄谱线宽度面发射发光二极管等光谱宽度远小于国际照明委员会确定的光谱三刺激值函数半宽的半导体光源，其发光波长和强度可以用半导体光波长探测器测量得到，由此进一步依据国际照明委员会确定的表色体系，得到所述半导体光源的色度三刺激值及色品坐标。本发明还能够检测红绿蓝三基色半导体光源混合白光的白平衡(或偏色)。本发明所用器件简单、灵巧和成本低，测量精度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光源 发光 色度 强度 白平衡 检测 方法 | ||
【主权项】：
1、一种检测半导体光源的色度、强度及白平衡的新方法，其特征是：采用掩埋双p-n结半导体光波长探测器。
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