[发明专利]一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片有效
| 申请号： | 200510117116.4 | 申请日： | 2005-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1755946A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王喆垚;田阔;潘立阳;胡朝红;王建锋;刘理天 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H01L21/66;G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于高温力学测量以及集成电路制造、封装和测量技术领域的一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片。在硅衬底上制作二氧化硅绝缘层，并在二氧化硅绝缘层上制作应力敏感元件层。其优点是传感器芯片可以测量全部6个方向的应力，同时，SOI衬底制造的应力传感器不使用反向偏置的pn结作为绝缘，即在高温下仍能保持绝缘性，保证了传感器芯片工作的可靠性，传感器芯片能够工作在600度的高温环境。同时，这种用两种不同晶向的单晶硅组成的SOI制造的应力传感器芯片，在取代被测集成电路管芯对其进行应力测量时，能够再现实际集成电路芯片的应力情况，并准确测量芯片所受到的全部六个应力分量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 绝缘体 硅片 应力 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片，其特征在于：所述测量硅片应力的传感器芯片为硅衬底(1)上制作二氧化硅绝缘层(2)，并二氧化硅绝缘层(2)上制作应力敏感元件层(3)。
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