[发明专利]有机场致发光显示装置及构造该装置的方法有效
申请号: | 200510116879.7 | 申请日: | 2005-10-27 |
公开(公告)号: | CN1773717A | 公开(公告)日: | 2006-05-17 |
发明(设计)人: | 李宪贞;徐旼徹;具在本 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;H05B33/12;H05B33/10 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;韩素云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有有机薄膜晶体管(OTFT)的有机场致发光显示装置和构造该装置的方法。通过将有机绝缘层用作栅极绝缘层并且将无机绝缘层用作电容器介质,显示装置可保持TFT的绝缘性质同时确保足够的电容。在一个实施例中,有机场致发光显示装置包括:衬底,具有电容器区域和晶体管区域;TFT,形成在衬底的晶体管区域内并具有栅极、有机半导体层、源极和漏极;电容器,形成在衬底的电容器区域内并具有下电极和上电极;显示元件,连接到TFT源/漏极的一个。在一个实施例中,形成在TFT的栅极下面或形成在栅极上的栅极绝缘层至少包括有机绝缘层,电容器的上电极和下电极之间的电容器介质包括无机绝缘层。 | ||
搜索关键词: | 机场 发光 显示装置 构造 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种平板显示装置,包括:衬底,具有电容器区域和晶体管区域;薄膜晶体管,形成在所述衬底的所述晶体管区域内并具有栅极、有机半导体层、源极和漏极;电容器,形成在所述衬底的所述电容器区域内并具有上电极和下电极;显示元件,连接到所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的一个;栅极绝缘层,至少包括有机绝缘层,形成在所述薄膜晶体管的所述栅极下或形成在所述薄膜晶体管的所述栅极上;无机电容器绝缘层,形成在所述电容器的所述上电极和下电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510116879.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的