[发明专利]快闪存储器制程

摘要

本发明提供一种快闪存储器制程，具体涉及一种分离式快闪存储器制程，其是用以增进一浮动栅尖头的锐度与高度，包括下述步骤。利用一干式蚀刻，通过图案开口形成一沟槽于一第一多晶硅层内。继而经由一化学气相沉积制程沉积一氧化物层于该多晶硅层上以充填该沟槽。利用一化学机械研磨制程，移除该氧化物层的部分区域，以使该填满沟槽的氧化物层与该第一多晶硅层大体上齐平。利用该填满沟槽的氧化物来进行一干式蚀刻，将该第一多晶硅层制定图案成为一浮动栅，并且该浮动栅的转角边缘具有一多晶硅尖头。本发明所述快闪存储器制程，可控制尖头角度及维持尖头高度，且节省了一次熔炉的花费并且简化了制程步骤。

主权项

1.一种快闪存储器制程，其特征在于，所述快闪存储器制程包括：形成一栅介电质层于一半导体基板上；形成一第一栅导电层于该栅介电质层上；形成一光致抗蚀剂层于该第一栅导电层上，其中该光致抗蚀剂层具有一图案开口，该图案开口是对应一将定义为一浮动栅的区域；经由该图案开口移除至少一部分的该第一栅导电层，于该第一栅导电层内形成一沟槽但不使该栅介电质层曝露于外；移除该光致抗蚀剂层；形成一氧化物层于该第一栅导电层上以填满该沟槽；部分移除该氧化物层直到遗留于该沟槽内的该氧化物层与该第一栅导电层齐平为止，而形成一填满沟槽的氧化物层；以及移除该第一栅导电层未受该填满沟槽的氧化物层覆盖的部分，从而该填满沟槽的氧化物层所覆盖的该栅导电层作为一具有一尖头的浮动栅。