[发明专利]等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置无效
| 申请号： | 200510114957.X | 申请日： | 2005-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1790628A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 广瀬久 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种对SiOC层选择性高的蚀刻SiC层的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。在作为被处理物的半导体晶片W表面上，由上侧依次形成SiOC层(101)、SiC层(102)、Cu配线层(103)，在SiCO层(101)上，形成为形成通路的开口部(111)。将该SiOC层(101)作为掩膜，将NF3/He/Ar的混合气体作为蚀刻气体，有选择地对SiC层(102)进行等离子体蚀刻，形成与开口部(111)连接的开口部(112)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻方法，将蚀刻气体等离子体化，利用该等离子体对被处理物上形成的SiC层进行蚀刻，其中：所述蚀刻气体至少含有NF3气体、He气体和Ar气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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