[发明专利]平板显示器件的制造方法有效
| 申请号： | 200510114723.5 | 申请日： | 2005-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1881528A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡基成;朴美暻 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/283;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造基板上方具有薄膜图案的平板显示器件的方法。该制造方法包括步骤：在基板上沉积亲水性树脂并且对亲水性树脂构图以在基板上要形成薄膜图案的区域之外的区域形成亲水性树脂图案。该制造方法还包括在基板上方亲水性树脂图案之间沉积疏水性纳米粉末薄膜材料；去除亲水性树脂图案以形成位于基板上方的疏水性纳米粉末薄膜图案。而且，该制造方法包括处理疏水性纳米粉末薄膜材料以形成薄膜图案。 | ||
| 搜索关键词： | 平板 显示 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造在基板上方具有薄膜图案的平板显示器件的方法，所述方法包括步骤：在所述基板上沉积亲水性树脂；对所述亲水性树脂构图以在基板上方要形成薄膜图案的区域之外的区域形成亲水性树脂图案；在基板上方所述亲水性树脂图案之间沉积疏水性纳米粉末薄膜材料；去除所述亲水性树脂图案以在基板上方形成疏水性纳米粉末薄膜图案；以及处理所述疏水性纳米粉末薄膜材料以形成薄膜图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
