[发明专利]半导体单元、存储单元和存储单元阵列及其形成方法有效
| 申请号： | 200510114479.2 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101009358A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 台湾省新竹县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种相变存储单元的制造方法，在此存储单元中的一个相变存储元件的截面积可由下电极的第一尺寸及蚀刻工艺所控制的第二尺寸来控制。接触窗的面积为第一尺寸和第二尺寸之积。此方法可以制造非常小的相变存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 单元 存储 阵列 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元的制造方法，其特征是包括：在基板上形成下电极，该下电极具有第一尺寸；在该下电极上覆盖绝缘材料；移除部分该绝缘材料，以使部分该下电极裸露出来，其裸露出来的部分具有第二尺寸；以及在该下电极裸露出来的部分的周围沉积相变材料层，以在该相变材料层和该下电极之间形成接触窗，该接触窗的面积等于该第一尺寸和该第二尺寸之积。
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