[发明专利]薄膜图案形成方法、半导体器件、电光学装置、电子仪器无效
| 申请号： | 200510113607.1 | 申请日： | 2005-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1764352A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 守屋克之;平井利充 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/12 | 分类号： | H05K3/12;H05K1/02;H05K1/16;H05K3/10;G02B5/20;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 薄膜图案形成方法包括：在形成对于包含构成第一薄膜的薄膜材料的功能液具有亲液性的第二薄膜的步骤；在第二薄膜的表面进行付与对功能液的疏液性的处理的步骤；除去第二薄膜的一部分，形成规定第一薄膜图案形状的凹部的步骤；向凹部喷出功能液的步骤；使向凹部喷出的功能液干燥，形成第一薄膜的步骤。半导体器件的电路配线，用所述薄膜图案形成方法形成，电光学装置具备该半导体器件，电子仪器具备所述电光学装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 图案 形成 方法 半导体器件 光学 装置 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜图案形成方法，是在基板上形成层叠多个薄膜而形成的薄膜图案的方法，其中具有：在所述基板上形成对于包含构成第一薄膜的薄膜材料的功能液具有亲液性的第二薄膜的步骤；在所述第二薄膜的表面进行对所述功能液付与疏液性的疏液化处理的步骤；除去所述第二薄膜的一部分，形成规定所述第一薄膜图案形状的凹部的步骤；向所述凹部喷出所述功能液的步骤；和使向所述凹部喷出的所述功能液干燥，形成所述第一薄膜的步骤。
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