[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管面板的制作方法无效
申请号: | 200510113442.8 | 申请日: | 2005-10-09 |
公开(公告)号: | CN1945811A | 公开(公告)日: | 2007-04-11 |
发明(设计)人: | 陈振铭 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管面板的制作方法,包括:提供基板,形成薄膜晶体管于基板上,形成层间绝缘层覆盖于薄膜晶体管和基板上方,于层间绝缘层中形成多个通孔至薄膜晶体管的源极与漏极表面,于通孔中形成金属层并分别电连接源极与漏极,于电连接漏极的金属层表面形成透明电极,形成像素电极绝缘层于透明电极和层间绝缘层上,以及形成发光二极管于透明电极上,因为本发明省略现有技术钝化层的制作,所以可达到降低成本与简化工艺的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 有源 矩阵 有机 发光二极管 面板 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵有机发光二极管面板的制作方法,该制作方法包含:提供一基板;形成至少一薄膜晶体管于该基板上;形成一层间绝缘层覆盖于该薄膜晶体管和该基板上方;于该层间绝缘层中形成多个通孔至该薄膜晶体管的源极与漏极表面;于所述多个通孔中各形成一金属层并分别电连接该源极与该漏极;于电连接该漏极的该金属层表面形成一透明电极;形成一像素电极绝缘层于该透明电极和该层间绝缘层上;以及形成一发光二极管于该透明电极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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