[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510112829.1 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1763984A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 多田善纪;杢哲次;丹羽爱玲;神井康宏;佐藤纯治;加藤隆志 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;经志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供可提高与p型GaN系化合物半导体接触的电极的各项特性的半导体发光元件及其制造方法。在与同MQW发光层(13)接触的p型GaN系化合物半导体(14)的主面(14a)对置的主面(14b)的表面，形成有由至少包含Ni的p型GaN系化合物半导体构成的第一区域(15)。在第一区域(15)的表面，形成有由Ni及Al所组成的合金来构成的电极(16)。在电极(16)上，形成有由Al或Au构成的外部连接用垫片电极(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，具备：具有对置的两个主面的p型GaN系化合物半导体、n型GaN系化合物半导体、形成于前述p型GaN系化合物半导体的一个主面与前述n型GaN系化合物半导体之间的发光层，该半导体发光元件的特征在于，具备：第一区域，其形成于前述p型GaN系化合物半导体的另一个主面的表面，且由包含Ni的前述p型GaN系化合物半导体来构成；电极，其形成于前述第一区域之上，且由包含Al的合金来构成并具有透明性。
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