[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 200510112677.5 | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1832159A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 石健学;蔡明兴;苏鸿文;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，其包括：一具有开口的介电层；一铜基第一金属层，填满该介电层的该开口并具有一上表面；以及一第一导电性高分子，覆盖该铜基第一金属层的该上表面。本发明还提供一种半导体元件，其包括：一铜基金属层，埋设于一介电层并具有一上表面；一导电性高分子，覆盖该铜基金属层的该上表面；以及一铝基金属垫，设置于该导电性高分子上。该导电性高分子夹置于两金属层间，可作为粘着层，阻障层或活化晶种层。该导电性高分子可包覆铜连线结构以避免铜扩散至其上层，以及增加铜与其上层的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：一具有开口的介电层；一铜基第一金属层，填满该介电层的该开口并具有一上表面；以及一第一导电性高分子，覆盖该铜基第一金属层的该上表面。
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