[发明专利]一种基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法有效
| 申请号： | 200510112299.0 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1819291A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 冯飞;熊斌;杨广立;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;G01J5/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法，其特征在于采用硅作为牺牲层，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作像素的双材料支撑梁和红外敏感部分，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料制作锚或对锚进行保护，最后采用XeF2气体腐蚀硅牺牲层释放像素。本发明具有以下积极效果和优点：一方面采用干法释放，避免湿法释放过程对像素结构的破坏；另一方面，降低了制作成本且与IC工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 材料 效应 微机 红外探测器 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于双材料效应的微机械红外探测器陈列的制作方法，其特征在于以硅为衬底，首先在硅衬底上采用深反应离子刻蚀或四甲基氢氧化铵或KOH各向异性腐蚀技术刻蚀或腐蚀出一个较深的凹坑，通过在凹坑内淀积XeF2气体不腐蚀的材料，形成所需的锚；或者在硅衬底上采用深反应离子刻蚀或四甲基氢氧化钠或KOH各向异性腐蚀技术在要保护的锚的周围刻蚀/腐蚀出一个深槽，然后在深槽内淀积XeF2气体几乎不腐蚀的材料，将锚保护起来；随后在制作好锚的硅衬底上制作像素结构；最后采用XeF2气体腐蚀硅释放像素结构；所述的像素结构分为在接受红外辐射时发生扭转和在接受红外辐射时发生沿像素法向方向平动两种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510112299.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
