[发明专利]二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法

摘要

本发明涉及一种XeF₂腐蚀过程中锚的制作方法，其特征在于将SiO₂、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF₂气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围，形成所需要的锚；或者直接采用XeF₂气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种：锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成；锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成；锚由保护层材料及填充层材料构成；锚是由保护层材料构成的柱体；锚是由保护层材料构成的薄膜。上述五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于：一方面可准确控制微结构锚位置，增加单个硅片单元器件的产量，降低生产成本，另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件)的占空比，改进器件性能。

主权项

1.一种二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法，其特征在于采用深反应离子刻蚀或氢氧化钾或四甲基氢氧化铵各向异性腐蚀方法在要保护的锚周围刻蚀或腐蚀出一个深槽，然后在深槽内淀积XeF2气体不腐蚀的材料，将锚保护起来；或者采用深反应离子刻蚀或KOH或四甲基氢氧化铵腐蚀方法刻蚀或腐蚀出一个较深的凹坑，通过在凹坑内淀积XeF2气体不腐蚀的材料，形成所需的锚；锚的结构为下述5种中任意一种，它们是锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成；锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成；锚由保护层材料及填充层材料构成；锚是由保护层材料构成的柱体；锚是由保护层材料构成的薄膜。