[发明专利]使用一维纳米材料的微型气体传感器无效
| 申请号： | 200510112216.8 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1793893A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 侯中宇;蔡炳初;张亚非;徐东;魏星 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62;H01L49/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种传感器技术领域的使用一维纳米材料的微型气体传感器。本发明包括：衬底、金属底电极层、一维纳米材料层、金属支柱层、金属顶电极层。其中，金属底电极层设置在衬底上，一维纳米材料层设置在金属底电极层之上，金属支柱层设置在衬底之上，顶电极设置在衬底上。金属底电极层、一维纳米材料层与金属支柱层之间相互隔离，顶电极层和底电极层、一维纳米材料层之间有气体间隙相互隔离。本发明具有选择性高、灵敏度高、低能耗、成本低、易于实现阵列化、小型化的优点，并有利于提高安全性、稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纳米 材料 微型 气体 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种使用一维纳米材料的微型气体传感器，包括：衬底(1)、金属底电极层(2)、一维纳米材料层(3)、金属支柱层(4)、金属顶电极层(5)，其特征在于，金属底电极层(2)设置在衬底(1)上，一维纳米材料层(3)设置在金属底电极(2)之上，金属支柱层(4)设置在衬底(1)之上，顶电极(5)设置在衬底(1)之上，金属底电极层(2)以及一维纳米材料层(3)与金属支柱层(4)之间相互隔离，顶电极层(5)和底电极层(2)以及一维纳米材料层(3)之间有气体间隙相互隔离。
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