[发明专利]有机发光二极管元件的制作方法无效
申请号: | 200510112161.0 | 申请日: | 2005-12-28 |
公开(公告)号: | CN1819303A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 黄素梅;靳彩霞;孙卓 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H05B33/10 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程宗德 |
地址: | 200062*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种有机发光二极管OLED元件的制作方法,属于材料和器件技术领域。通过在玻璃衬底上,利用旋转涂布法,通过调节球粒与非离子表面活性剂、甲醇比例,形成大面积单层高分子材料微粒子六角阵列,利用紫外灯照射或直接加热,制备高分子材料微凸透镜阵列层,此高分子微凸透镜可直接用于制备OLED元件。本发明可十分有效地提高有机发光二极管元件的出光效率,从而极大地提高OLED元件的质量和器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 元件 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管的制作方法,其特征在于包括:第一步:利用旋转涂布法在经亲水化处理后的玻璃衬底上制备单层聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯球粒六角点阵;第二步:利用紫外灯照射或者直接加热第一步中制备的单层高分子球粒六角点阵,使单层聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯球粒六角点阵转变成微凸透镜阵列。第三步:在制备有微凸透镜阵列玻璃衬底的另一表面依次:用磁控溅射法镀一层透明阳极一铟锡氧化物(ITO)薄膜,接着在ITO薄膜上利用真空热蒸发方法沉积上一层空穴传输层—芳香二胺(TPD),然后再蒸镀一层电子传输、发光层—八羟基喹啉铝(Alq3),最后蒸镀一层Al作为阴极,制成有机发光器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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