[发明专利]带有静电损伤保护功能的发光二极管及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种新的带有静电损伤保护功能的发光二极管LED的设计及其制造方法。本发明的LED器件结构包括一个倒装焊的LED芯片以及带有静电损伤保护功能的硅基板。LED芯片通过焊接的方式与硅基板实现电气导通。硅基板的静电保护功能是通过一个NPN或PNP三极管来实现的。通过将LED与硅三极管的集电极和发射极两端并联连接，同时调整三极管的击穿电压，该LED器件可以抵抗由于静电释放带来的损伤。

主权项

1、带有静电损伤保护功能的发光二极管的制造方法，包括：提供一外延衬底，在所述外延衬底上依次形成n型GaN层、发光层和p型GaN层；在所述外延衬底上的n型GaN层上引出n电极；在p型GaN层上形成p电极；在p、n电极上沉积多个压焊点；提供一硅基板，在所述硅基板上形成与上述外延衬底上p、n电极分别对应的硅三极管的集电极和发射极，所述二极之间形成硅三极管的基极；在所述集电极和发射极上形成金属电极；将所述外延衬底倒置，并使其p、n电极分别与所述硅基板的集电极区电极和发射极区电极分别连接。