[发明专利]一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法有效
| 申请号： | 200510111553.5 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1981992A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张震宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B55/00 | 分类号： | B24B55/00;B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法，使用化学机械抛光设备对硅片研磨，在该化学机械抛光设备的HCLU内加装压力感应传感器，然后循环执行以下步骤：在该化学机械抛光设备上安装新的固定环，重新设定固定环厚度值，将研磨头转到HCLU正上方，测量新的固定环上的压力值并自动记录，化学机械抛光设备开始研磨作业，当研磨头转到HCLU时，在卸下硅片的同时测量固定环的厚度，根据该厚度差计算研磨时的压力补偿值并进行调整，当固定环的厚度变薄时，应当适当调低对固定环的压力，使硅片周边的研磨速率保持不变，再进行下一次硅片研磨作业。本发明可调整研磨时retainer ring的压力输出，提高了CMP工艺的硅片周边的残膜厚度的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自动 调节 化学 机械抛光 设备 硅片 研磨 压力 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法，使用化学机械抛光设备对硅片研磨，其特征在于，在所述化学机械抛光设备的HCLU内加装压力感应传感器，然后循环执行以下步骤：在所述化学机械抛光设备上安装新的固定环，重新设定固定环厚度值，将研磨头转到所述HCLU正上方，测量该新的固定环上的压力值并自动记录，所述化学机械抛光设备开始研磨作业，当研磨头转到所述HCLU时，在卸下硅片的同时测量固定环的厚度，根据该厚度差计算研磨时的压力补偿值并进行调整，使硅片周边的研磨速率保持不变，再进行下一次硅片研磨作业。
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