[发明专利]改进低介电常数层的粘附强度的方法有效
| 申请号： | 200510111389.8 | 申请日： | 2005-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1983525A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于制造半导体器件的方法。在一个特定实施例中，所述方法包括给半导体衬底提供表面区域。所述表面区域包括覆盖所述半导体衬底的一个或多个层。另外，所述方法包括形成覆盖所述表面区域的电介质层以及形成覆盖所述电介质层的扩散阻挡层。此外，所述方法包括使所述扩散阻挡层经受等离子体环境以促进在界面区域的所述扩散阻挡层和所述电介质层之间的粘附。所述方法还包括处理所述半导体衬底，同时保持在所述界面区域的所述电介质层和所述扩散阻挡层之间的附着。使所述扩散阻挡层经受等离子体环境包括保持所述阻挡扩散层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 介电常数 粘附 强度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：给半导体衬底提供表面区域，该表面区域包括覆盖所述半导体衬底的一个或多个层；形成覆盖所述表面区域的电介质层；形成覆盖所述电介质层的扩散阻挡层；使所述扩散阻挡层经受等离子体环境以促进在界面区域的所述扩散阻挡层和所述电介质层之间的粘附；处理所述半导体衬底，同时保持在所述界面区域的所述电介质层和所述扩散阻挡层之间的附着；其中使所述扩散阻挡层经受等离子体环境包括保持所述阻挡扩散层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
