[发明专利]一种半导体金属电容无效
| 申请号： | 200510111038.7 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1979868A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 徐向明;姚泽强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/00;H01L29/92;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体金属电容，该电容具有多层介电层，所述各介电层采用不完全相同的介电材料，从而使得电容受电压依存性的影响大大减小，以满足各种特殊场合的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 金属 电容 | ||
【主权项】：
1.一种半导体金属电容，包括两个输出电极、上层金属板、中间金属板、下层金属板、两层介电层和填充材料，所述电容为层叠式结构，由下到上依次为下层金属板、介电层、中间金属板、另一介电层和上层金属板，所述中间金属板由穿过填充材料的并且内部填充有导电材料的金属通孔与一个输出电极相连接，所述上层金属板和下层金属板分别由穿过填充材料的并且内部填充有导电材料的金属通孔与另一输出电极相连接，其特征在于，所述两层介电层分别用不同的介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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