[发明专利]在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法有效
| 申请号： | 200510110566.0 | 申请日： | 2005-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1801500A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 江风益;邵碧琳;王立;方文卿 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，它首先在硅衬底表面形成一层银过渡层，然后在银过渡层上形成半导体薄膜。所述的半导体薄膜的成分为铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)或锌镁镉氧(ZnxMgyCd1－x－yO，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)。本发明具有可以保护衬底表面不与生长气氛接触、从而防止在铟镓铝氮材料或锌镁镉氧材料生长前形成无定型氮化硅层、提高薄膜质量的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 质量 发光 半导体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，其特征在于：首先在硅衬底表面形成一层银过渡层，然后在银过渡层上形成半导体薄膜。
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