[发明专利]制造半导体器件的方法以及一种半导体衬底有效
| 申请号： | 200510109849.3 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1741263A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 宫崎邦浩;松尾弘之;中岛俊贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/306;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法。在所述方法中，在具有(100)向晶面的硅(Si)衬底(11)上形成薄膜(12)，去除位于元件隔离区上的所述薄膜(12)的部分。然后，通过利用所述薄膜(12)作为掩膜以及氢氟酸和臭氧水的混合溶液，对所述Si衬底(11)进行选择性蚀刻，在所述衬底(11)中形成沟槽(15)以隔离元件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 以及 一种 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括以下步骤：在硅(Si)衬底(11)的主表面上形成薄膜(12)，所述主表面具有(100)向晶面；去除位于元件隔离区上的所述薄膜(12)的部分；以及通过利用所述薄膜(12)作为掩膜，并通过利用氢氟酸和臭氧水的混合溶液，在所述Si衬底上进行选择性蚀刻，从而在所述Si衬底(11)中形成元件隔离沟槽(15)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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