[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510109799.9 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1755960A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 室伏仁;武田四郎 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体发光元件(1)中，在窗口层(15)的上表面上形成具有圆柱形状且分散成岛状的多个凸台(16)以及凹陷(17)。在凸台(16)的上表面上形成接触电极(21)。在凹陷(17)中形成透明介质膜(22)。在透明介质膜(22)和接触电极(21)上形成透明导体膜(23)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光元件，包括：半导体层(15)，其一个表面包括光学窗口，其上形成多个凸台(16)和凹陷(17)；介质膜(22)，具有透光性并且形成在所述凹陷(17)中；以及导体膜(23)，具有透光性并且形成在所述半导体层(15)的所述一个表面上，其中所述导体膜(23)和所述半导体层(15)彼此电连接。
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