[发明专利]超高压金属氧化物半导体晶体管元件有效
| 申请号： | 200510109796.5 | 申请日： | 2005-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1937248A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 高境鸿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种超高压MOS晶体管元件，包括基底，其具有第一导电类型；一具有第二导电类型的源极掺杂区，设于该基底中；具有该第一导电类型的第一掺杂区，设于该基底中，并且紧邻于该源极掺杂区；具有该第一导电类型的第一离子阱，其包围该源极掺杂区以及该第一掺杂区；栅极氧化层，形成在该源极掺杂区以及该第一离子阱之上；一场氧化层，与该栅极氧化层相衔接，并形成在一半导体区域上；增厚介电层，覆盖在该场氧化层上方；具有该第二导电类型的漏极掺杂区，远离该源极掺杂区，设于该场氧化层的一侧；具有该第二导电类型的第二离子阱，其包围该漏极掺杂区；以及栅极，设于该栅极氧化层上，并延伸到该场氧化层以及该增厚介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 | ||
【主权项】：
1.一种超高压MOS晶体管元件，包括：一基底，其具有一第一导电类型；一具有一第二导电类型的源极掺杂区，设于该基底中；一具有该第一导电类型的第一掺杂区，设于该基底中，并且紧邻于该源极掺杂区；一具有该第一导电类型的第一离子阱，其包围该源极掺杂区以及该第一掺杂区；一栅极氧化层，形成在该源极掺杂区以及该第一离子阱之上；一场氧化层，与该栅极氧化层相衔接，并形成在一半导体区域上；一增厚介电层，覆盖在该场氧化层上方；一具有该第二导电类型的漏极掺杂区，远离该源极掺杂区，设于该场氧化层的一侧；一具有该第二导电类型的第二离子阱，其包围该漏极掺杂区；以及一栅极，设于该栅极氧化层上，并延伸到该场氧化层以及该增厚介电层上。
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