[发明专利]浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法，具体为形成一包括氮衬垫层的无孔穴浅沟槽隔离结构的方法，包括提供一基底，此基底包括一延伸穿过一上部的硬式掩膜层至基底一厚度的STI沟槽，而暴露部分基底。其后，选择性的形成第一绝缘层，当作STI沟槽的位于暴露基底上方的部分的衬垫。接下来，将STI沟槽回填以一第二绝缘层，并平坦化第二绝缘层。后续，进行一湿蚀刻制程以移除上部的硬式掩膜层。本发明所述浅沟槽隔离结构及形成浅沟槽隔离结构的方法，可避免在STI沟槽边缘或角落形成孔穴，改善元件的性能和可靠度。

主权项

1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述形成浅沟槽隔离结构的方法包括：提供一包括一浅沟槽结构沟槽的基底，该浅沟槽结构沟槽延伸穿过一上部的硬式掩膜层，并进入该基底的一厚度，且暴露部分该基底；选择性的形成一第一绝缘层，以当作该浅沟槽结构沟槽的位于暴露基底上方的部分的衬垫；以一第二绝缘层回填该浅沟槽结构沟槽；平坦化该第二绝缘层；及进行一湿蚀刻制程以移除上部的硬式掩膜层。