[发明专利]利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法无效
| 申请号： | 200510109332.4 | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1949454A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 杨国华;何国荣;宋国锋;石岩;郑婉华;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将晶片进行清洗与表面处理；b)将清洗及表面处理后的晶片固定在带有附加加热装置的键合夹具中，放入密闭石英腔体中抽真空；c)把装有键合夹具及晶片的石英腔体放入液相外延炉中加热进行键合。通过夹具上或者下半部分的单独的加热来实现不同晶片的温度差，以改变热膨胀系数不同对晶片键合的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 温度 改变 不同 热膨胀 系数 材料 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将晶片进行表面处理；b)将表面处理后的晶片固定在带有附加加热装置的键合夹具中，放入密闭石英腔体中抽真空；c)把装有键合夹具及晶片的石英腔体放入液相外延炉中加热进行键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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